打開行動導航

Versum 實驗室注釋

計算化學加速 CVD 或 ALD 化學前驅物

電子設備的進一步收縮為新材料和新型薄膜沉積工藝的快速發展帶來了新的挑戰。化學前驅物化學和沉積機制的第一原理分析,可透過對潛在化學前驅物的初始虛擬篩選顯著降低實驗成本。同時,這些研究也可以提高對化學前驅物穩定性和表面反應性的基本瞭解。

Versum Materials 將計算化學應用於先進有機矽烷和有機金屬化合物化學前驅物的設計。以下是使用計算化學對有機矽烷和有機金屬前驅物開發進行建模的範例。

有機矽烷前驅物:

Versum Materials 應用密度泛函理論 (DFT) 計算來建立氧化矽上的有機矽烷化學前驅物化學吸收作用的模型。圖 1 顯示了在氨基矽烷化學前驅物的原子層沉積 (ALD) 製程中涉及的各種循環。各個迴圈都根據熱化學和動力學進行了量化,以瞭解化學前驅物屬性並優化反應器操作條件。

有機金屬前驅物:

DFT 計算研究銅、氫氧化矽和氫化矽封端基材上的各種鈷化學前驅物的配體解離能、分解機理和表面反應。本研究中考慮的鈷化學前驅物包括鈷醯胺、鈷咪唑和羰基鈷與環戊二烯、烯丙基和炔烴配體。該研究提供了關於鈷沉積在不同基材上選擇性的見解,並允許使用更系統的方法來選擇新的 ALD 鈷化學前驅物。圖 2 顯示了如何使用第一原理計算來量化兩種不同基材的化學前驅物反應的熱力學。

 

作者

Agnes Derecskei 是一名研究助理,自 2010 年已在本公司工作。她畢業於德克薩斯大學阿靈頓分校,獲得數學科學/化學博士學位,並在匈牙利德布勒森的德布勒森大學獲得理論物理學博士學位。

Agnes.Derecskei@nullversummaterials.com

 

 

 

Andrew J. Adamczyk 擔任資深工程師主管一職,已在公司工作了五年,為產品和流程開發提供建模支援。他畢業於西北大學,獲得化學工程博士學位,曾在麻省理工學院和南加州大學擔任博士後研究一職,與諾貝爾獎得主 Arieh Warshel 教授共事。

 

 

 

Sergei Ivanov 是研究助理,已在公司工作了超過 15 年。他畢業於俄羅斯科學院普通和無機化學研究所,獲得無機化學博士學位。

Sergei.Ivanov@nullversummaterials.com

Choose Your Location
Powered by Translations.com GlobalLink OneLink Software